SIE822DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE822DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE822DF datasheet

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SIE822DF

SiE822DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0034 at VGS = 10 V 138 Exposed PolarPAK Package for Double- 50 20 24 nC Sided Cooling 0.0055 at V

 9.1. Size:173K  vishay
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SIE822DF

SiE820DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Low Switching Losses 0.0035 at VGS = 4.5 V 136 TrenchFET Power MOSFET 50 20 43 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0

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