SIE822DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE822DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE822DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE822DF даташит

 ..1. Size:173K  vishay
 sie822df.pdf pdf_icon

SIE822DF

SiE822DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0034 at VGS = 10 V 138 Exposed PolarPAK Package for Double- 50 20 24 nC Sided Cooling 0.0055 at V

 9.1. Size:173K  vishay
 sie820df.pdf pdf_icon

SIE822DF

SiE820DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Low Switching Losses 0.0035 at VGS = 4.5 V 136 TrenchFET Power MOSFET 50 20 43 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0

Другие IGBT... SIE804DF, SIE806DF, SIE808DF, SIE810DF, SIE812DF, SIE816DF, SIE818DF, SIE820DF, IRF530, SIE830DF, SIE832DF, SIE836DF, SIE844DF, SIE848DF, SIE854DF, SIE860DF, SIE862DF