Справочник MOSFET. SIE822DF

 

SIE822DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE822DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE822DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE822DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sie822df.pdf pdf_icon

SIE822DF

SiE822DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0034 at VGS = 10 V 138 Exposed PolarPAK Package for Double-5020 24 nCSided Cooling0.0055 at V

 9.1. Size:173K  vishay
 sie820df.pdf pdf_icon

SIE822DF

SiE820DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology forVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit LimitLow Switching Losses0.0035 at VGS = 4.5 V 136 TrenchFET Power MOSFET5020 43 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0

Другие MOSFET... SIE804DF , SIE806DF , SIE808DF , SIE810DF , SIE812DF , SIE816DF , SIE818DF , SIE820DF , AO4407 , SIE830DF , SIE832DF , SIE836DF , SIE844DF , SIE848DF , SIE854DF , SIE860DF , SIE862DF .

History: AM3962N | IPB240N04S4-R9 | P2503HEA | AP2606CMT | NCE65N180K | SM4836NSK | LND01

 

 
Back to Top

 


 
.