SIE844DF Todos los transistores

 

SIE844DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE844DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE844DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
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SIE844DF

New ProductSiE844DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = 10 V 44.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET30 13.1 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.010 at VGS = 4.5 V 37.3Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

 9.1. Size:203K  vishay
 sie848df.pdf pdf_icon

SIE844DF

New ProductSiE848DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 211 6030 43 nCSided

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History: IRFD9113 | CSML0060 | AON7423 | AOT412 | AOT414 | DHB50N06FZC | DH081N03E

 

 
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