SIE844DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE844DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE844DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE844DF даташит

 ..1. Size:203K  vishay
 sie844df.pdf pdf_icon

SIE844DF

New Product SiE844DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.007 at VGS = 10 V 44.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET 30 13.1 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.010 at VGS = 4.5 V 37.3 Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Coo

 9.1. Size:203K  vishay
 sie848df.pdf pdf_icon

SIE844DF

New Product SiE848DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0016 at VGS = 10 V 211 60 30 43 nC Sided

Другие IGBT... SIE812DF, SIE816DF, SIE818DF, SIE820DF, SIE822DF, SIE830DF, SIE832DF, SIE836DF, STP80NF70, SIE848DF, SIE854DF, SIE860DF, SIE862DF, SIE864DF, SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF