Справочник MOSFET. SIE844DF

 

SIE844DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE844DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE844DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE844DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
 sie844df.pdf pdf_icon

SIE844DF

New ProductSiE844DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = 10 V 44.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET30 13.1 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.010 at VGS = 4.5 V 37.3Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

 9.1. Size:203K  vishay
 sie848df.pdf pdf_icon

SIE844DF

New ProductSiE848DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 211 6030 43 nCSided

Другие MOSFET... SIE812DF , SIE816DF , SIE818DF , SIE820DF , SIE822DF , SIE830DF , SIE832DF , SIE836DF , 20N50 , SIE848DF , SIE854DF , SIE860DF , SIE862DF , SIE864DF , SIE868DF , SIE874DF , SIE876DF .

History: CS100N03B4 | CJAC10TH10 | BF1208D | OSG60R022HT3ZF | IRFI840GLCPBF | TPM8205ATS6 | 2SK2793

 

 
Back to Top

 


 
.