SIE854DF Todos los transistores

 

SIE854DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE854DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0142 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SIE854DF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIE854DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
 sie854df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE854DFVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0142 at VGS = 10 V 100 6460a 50 nC Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Cooling Leadf

 9.1. Size:117K  vishay
 sie850df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE850DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0025 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-16460a30 55 nCSided Cooling0.00

Otros transistores... SIE818DF , SIE820DF , SIE822DF , SIE830DF , SIE832DF , SIE836DF , SIE844DF , SIE848DF , IRFZ24N , SIE860DF , SIE862DF , SIE864DF , SIE868DF , SIE874DF , SIE876DF , SIE878DF , SIE882DF .

History: AONS66607 | SDF50N40JAM | IXTA98N075T | AP3N2R4MT | SI7462DP | SI7469DP

 

 
Back to Top

 


 
.