SIE854DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE854DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0142 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE854DF datasheet

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SIE854DF

SiE854DF Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0142 at VGS = 10 V 100 64 60a 50 nC Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Cooling Leadf

 9.1. Size:117K  vishay
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SIE854DF

SiE850DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0025 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double- 164 60a 30 55 nC Sided Cooling 0.00

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