Справочник MOSFET. SIE854DF

 

SIE854DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE854DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE854DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE854DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
 sie854df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE854DFVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0142 at VGS = 10 V 100 6460a 50 nC Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Cooling Leadf

 9.1. Size:117K  vishay
 sie850df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE850DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0025 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-16460a30 55 nCSided Cooling0.00

Другие MOSFET... SIE818DF , SIE820DF , SIE822DF , SIE830DF , SIE832DF , SIE836DF , SIE844DF , SIE848DF , IRFZ24N , SIE860DF , SIE862DF , SIE864DF , SIE868DF , SIE874DF , SIE876DF , SIE878DF , SIE882DF .

History: SI8439DB

 

 
Back to Top

 


 
.