SIE854DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE854DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE854DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE854DF даташит

 ..1. Size:187K  vishay
 sie854df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE854DF Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0142 at VGS = 10 V 100 64 60a 50 nC Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Cooling Leadf

 9.1. Size:117K  vishay
 sie850df.pdf pdf_icon

SIE854DF

SiE850DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0025 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double- 164 60a 30 55 nC Sided Cooling 0.00

Другие IGBT... SIE818DF, SIE820DF, SIE822DF, SIE830DF, SIE832DF, SIE836DF, SIE844DF, SIE848DF, TK10A60D, SIE860DF, SIE862DF, SIE864DF, SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF, SIE878DF, SIE882DF