SIE862DF Todos los transistores

 

SIE862DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE862DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIE862DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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SIE862DF

New ProductSiE862DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen III Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0032 at VGS = 10 V 134 50Double-Sided Cooling

 9.1. Size:131K  vishay
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SIE862DF

New ProductSiE864DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 11.9 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0073 at VGS = 4.5 V 45Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

 9.2. Size:204K  vishay
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SIE862DF

New ProductSiE860DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0021 at VGS = 10 V 17860aExposed PolarPAK Package for Double-30 34 nCSid

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SIE862DF

New ProductSiE868DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using 0.0023 at VGS = 10 V Top-Exposed PolarPAK Package for 169 6040 45 nCDouble-Side

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History: BUK9Y113-100E | PMPB12UNEA | BL33N25-P | CTM06N60 | QS6U24 | 2N6904 | CSD87335Q3D

 

 
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