SIE862DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE862DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE862DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE862DF даташит

 ..1. Size:204K  vishay
 sie862df.pdf pdf_icon

SIE862DF

New Product SiE862DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0032 at VGS = 10 V 134 50 Double-Sided Cooling

 9.1. Size:131K  vishay
 sie864df.pdf pdf_icon

SIE862DF

New Product SiE864DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0056 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET 30 11.9 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0073 at VGS = 4.5 V 45 Exposed PolarPAK Package for Double- Sided Coo

 9.2. Size:204K  vishay
 sie860df.pdf pdf_icon

SIE862DF

New Product SiE860DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0021 at VGS = 10 V 178 60a Exposed PolarPAK Package for Double- 30 34 nC Sid

 9.3. Size:201K  vishay
 sie868df.pdf pdf_icon

SIE862DF

New Product SiE868DF Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using 0.0023 at VGS = 10 V Top-Exposed PolarPAK Package for 169 60 40 45 nC Double-Side

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIE822DF, SIE830DF, SIE832DF, SIE836DF, SIE844DF, SIE848DF, SIE854DF, SIE860DF, BS170, SIE864DF, SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF, SIE878DF, SIE882DF, SIHA12N50E, SIHA12N60E