SIE882DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE882DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE882DF datasheet

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SIE882DF

New Product SiE882DF Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0014 at VGS = 10 V 229 60 25 46 nC Double-Sided

Otros transistores... SIE854DF, SIE860DF, SIE862DF, SIE864DF, SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF, SIE878DF, 5N60, SIHA12N50E, SIHA12N60E, SIHA15N50E, SIHA15N60E, SIHA20N50E, SIHA22N60E, SIHA25N50E, SIHB10N40D