SIE882DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIE882DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
Búsqueda de reemplazo de SIE882DF MOSFET
SIE882DF Datasheet (PDF)
sie882df.pdf
New ProductSiE882DFVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0014 at VGS = 10 V 229 6025 46 nCDouble-Sided
Otros transistores... SIE854DF , SIE860DF , SIE862DF , SIE864DF , SIE868DF , SIE874DF , SIE876DF , SIE878DF , 5N60 , SIHA12N50E , SIHA12N60E , SIHA15N50E , SIHA15N60E , SIHA20N50E , SIHA22N60E , SIHA25N50E , SIHB10N40D .
History: SLP5N50S | SLP32N20C
Liste
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