Справочник MOSFET. SIE882DF

 

SIE882DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE882DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE882DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE882DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
 sie882df.pdf pdf_icon

SIE882DF

New ProductSiE882DFVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0014 at VGS = 10 V 229 6025 46 nCDouble-Sided

Другие MOSFET... SIE854DF , SIE860DF , SIE862DF , SIE864DF , SIE868DF , SIE874DF , SIE876DF , SIE878DF , 13N50 , SIHA12N50E , SIHA12N60E , SIHA15N50E , SIHA15N60E , SIHA20N50E , SIHA22N60E , SIHA25N50E , SIHB10N40D .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.