SIE882DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE882DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE882DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE882DF даташит

 ..1. Size:201K  vishay
 sie882df.pdf pdf_icon

SIE882DF

New Product SiE882DF Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0014 at VGS = 10 V 229 60 25 46 nC Double-Sided

Другие IGBT... SIE854DF, SIE860DF, SIE862DF, SIE864DF, SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF, SIE878DF, 5N60, SIHA12N50E, SIHA12N60E, SIHA15N50E, SIHA15N60E, SIHA20N50E, SIHA22N60E, SIHA25N50E, SIHB10N40D