SIHB6N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHB6N65E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SIHB6N65E MOSFET
SIHB6N65E Datasheet (PDF)
sihb6n65e.pdf

SiHB6N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 11 Mat
Otros transistores... SIHB22N60S , SIHB22N65E , SIHB23N60E , SIHB24N65E , SIHB28N60EF , SIHB30N60E , SIHB33N60E , SIHB33N60EF , 2SK3918 , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , SIHD6N65E , SIHD7N60E .
History: IRFB4110PBF | SSF6808 | JST2302H | 2N6792JANT | SFG130N10KF | RE1C002UN
History: IRFB4110PBF | SSF6808 | JST2302H | 2N6792JANT | SFG130N10KF | RE1C002UN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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