Справочник MOSFET. SIHB6N65E

 

SIHB6N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHB6N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHB6N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  vishay
 sihb6n65e.pdf pdf_icon

SIHB6N65E

SiHB6N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 11 Mat

Другие MOSFET... SIHB22N60S , SIHB22N65E , SIHB23N60E , SIHB24N65E , SIHB28N60EF , SIHB30N60E , SIHB33N60E , SIHB33N60EF , 2SK3918 , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , SIHD6N65E , SIHD7N60E .

 

 
Back to Top

 


 
.