SIHD7N60E Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

SIHD7N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHD7N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHD7N60E

 

SIHD7N60E Datasheet (PDF)

1.1. sihd7n60e.pdf Size:188K _upd-mosfet

SIHD7N60E
SIHD7N60E

SiHD7N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 • Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.6 • Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 40 • Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 5 • Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 9 • Mate

Otros transistores... SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , SIHD6N65E , APT50M38JFLL , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E , SIHF15N60E , SIHF15N65E , SIHF16N50C , SIHF18N50C .

Back to Top

 


SIHD7N60E
  SIHD7N60E
  SIHD7N60E
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SSW4N60B | SSW2N60B | SSU2N60B | SSU1N60B | SSU1N45 | SSTSD203 | SSTSD201 | SST4416 | SST441 | SST440 | SST4393 | SST4392 | SST4391 | SST177 | SST176 |

Introduzca al menos 1 números o letras

 

Back to Top