SIHD7N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHD7N60E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIHD7N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD7N60E даташит

 ..1. Size:188K  vishay
 sihd7n60e.pdf pdf_icon

SIHD7N60E

SiHD7N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 40 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 5 Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 9 Mate

Другие IGBT... SIHB6N65E, SIHB8N50D, SIHD12N50E, SIHD3N50D, SIHD3N50DA, SIHD5N50D, SIHD6N62E, SIHD6N65E, IRF730, SIHF10N40D, SIHF12N50C, SIHF12N60E, SIHF12N65E, SIHF15N60E, SIHF15N65E, SIHF16N50C, SIHF18N50C