SIHD7N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIHD7N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SIHD7N60E
SIHD7N60E Datasheet (PDF)
sihd7n60e.pdf

SiHD7N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 40 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 5 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 9 Mate
Другие MOSFET... SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , SIHD3N50DA , SIHD5N50D , SIHD6N62E , SIHD6N65E , IRFP064N , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E , SIHF15N60E , SIHF15N65E , SIHF16N50C , SIHF18N50C .
History: IXFN132N50P3 | IRFP332
History: IXFN132N50P3 | IRFP332



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c