SIHF30N60E Todos los transistores

 

SIHF30N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF30N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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SIHF30N60E Datasheet (PDF)

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SIHF30N60E

SiHF30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

Otros transistores... IRF7534D1 , IRF7534D1PBF , IRF7580M , IRF7601PBF , IRF7603PBF , SIHF22N65E , SIHF23N60E , SIHF28N60EF , IRF640N , SIHF510 , SIHF510S , SIHF520 , SIHF520S , SIHF530 , SIHF530S , SIHF540 , SIHF540S .

History: STP4953A | IPD050N10N5 | 20N50B | AP040N03G | UPA2350T1P | WMO053NV8HGS

 

 
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