Справочник MOSFET. SIHF30N60E

 

SIHF30N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF30N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHF30N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF30N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  vishay
 sihf30n60e.pdf pdf_icon

SIHF30N60E

SiHF30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

Другие MOSFET... IRF7534D1 , IRF7534D1PBF , IRF7580M , IRF7601PBF , IRF7603PBF , SIHF22N65E , SIHF23N60E , SIHF28N60EF , IRF640N , SIHF510 , SIHF510S , SIHF520 , SIHF520S , SIHF530 , SIHF530S , SIHF540 , SIHF540S .

History: WFP10N60 | RJK1535DPJ | SM6802S1RL | CEU02N6A | CS4N70ARHD | TPCP8201 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.