SIHF30N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHF30N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHF30N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF30N60E даташит

 ..1. Size:178K  vishay
 sihf30n60e.pdf pdf_icon

SIHF30N60E

Другие IGBT... IRF7534D1, IRF7534D1PBF, IRF7580M, IRF7601PBF, IRF7603PBF, SIHF22N65E, SIHF23N60E, SIHF28N60EF, IRFB4110, SIHF510, SIHF510S, SIHF520, SIHF520S, SIHF530, SIHF530S, SIHF540, SIHF540S