SIHF9Z24S Todos los transistores

 

SIHF9Z24S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF9Z24S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SIHF9Z24S Datasheet (PDF)

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SIHF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

 ..2. Size:193K  vishay
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SIHF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

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SIHF9Z24S

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

 6.2. Size:197K  vishay
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SIHF9Z24S

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

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History: AP5523GM-HF | DMTH6004SK3 | FQPF6N15 | TK28N65W | 2SK3199 | AO6602G | TSM7N90CI

 

 
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