Справочник MOSFET. SIHF9Z24S

 

SIHF9Z24S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHF9Z24S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для SIHF9Z24S

 

 

SIHF9Z24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  vishay
 irf9z24s sihf9z24s irf9z24l sihf9z24l.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

 ..2. Size:193K  vishay
 irf9z24spbf sihf9z24l sihf9z24s.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

 6.1. Size:196K  vishay
 irf9z24 sihf9z24.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

 6.2. Size:197K  vishay
 irf9z24pbf sihf9z24.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

 7.1. Size:1161K  vishay
 sihf9z22.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z22, SiHF9Z22Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.33RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 26 COMPLIANT Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature StabilityConfiguration SingleDESCRIPTIONS

 7.2. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 7.3. Size:1213K  vishay
 irf9z20 sihf9z20.pdf

SIHF9Z24S SIHF9Z24S

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top