SIHFD113 Todos los transistores

 

SIHFD113 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFD113
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

 Búsqueda de reemplazo de SIHFD113 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIHFD113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 irfd113pbf sihfd113.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

 ..2. Size:243K  vishay
 irfd113 sihfd113.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

 7.1. Size:147K  vishay
 irfd110 sihfd110.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

 7.2. Size:149K  vishay
 irfd110pbf sihfd110.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHFBF30 , SIHFBF30S , SIHFBG20 , SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , SIHFD024 , SIHFD110 , TK10A60D , SIHFD120 , SIHFD210 , SIHFD214 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 , SIHFD320 , SIHFD420 .

History: CSD87312Q3E | AM4362N | CSD87331Q3D | BLM16N10-D | BLM30DN06L-E | NCEP088NH150GU | NCEP4085EG

 

 
Back to Top

 


 
.