Справочник MOSFET. SIHFD113

 

SIHFD113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFD113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHFD113

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFD113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 irfd113pbf sihfd113.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

 ..2. Size:243K  vishay
 irfd113 sihfd113.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

 7.1. Size:147K  vishay
 irfd110 sihfd110.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

 7.2. Size:149K  vishay
 irfd110pbf sihfd110.pdf pdf_icon

SIHFD113

IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBF30 , SIHFBF30S , SIHFBG20 , SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , SIHFD024 , SIHFD110 , IRF530 , SIHFD120 , SIHFD210 , SIHFD214 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 , SIHFD320 , SIHFD420 .

History: CS3N90F

 

 
Back to Top

 


 
.