SIHFI614G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFI614G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

 Búsqueda de reemplazo de SIHFI614G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIHFI614G datasheet

 ..1. Size:954K  vishay
 sihfi614g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI614G, SiHFI614G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Low Thermal Resistance Configuration

 ..2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI614G, SiHFI614G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Low Thermal Resistance Configuration

 8.1. Size:1751K  vishay
 irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI620G, SiHFI620G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 14 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.9 Low Thermal Resistance Configuration S

 8.2. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI644G, SiHFI644G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 68 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 35 Low Thermal Resistance Configuration Si

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHFD9120, SIHFD9210, SIHFD9220, SIHFDC20, SIHFI510G, SIHFI520G, SIHFI530G, SIHFI540G, 18N50, SIHFI620G, SIHFI630G, SIHFI634G, SIHFI640G, SIHFI644G, SIHFI720G, SIHFI730G, SIHFI740G