Справочник MOSFET. SIHFI614G

 

SIHFI614G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI614G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI614G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI614G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:954K  vishay
 sihfi614g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 ..2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 8.1. Size:1751K  vishay
 irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI620G, SiHFI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.80f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.9 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 8.2. Size:1398K  vishay
 irfi644g sihfi644g.pdf pdf_icon

SIHFI614G

IRFI644G, SiHFI644GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.28f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 68COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 35 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFD9120 , SIHFD9210 , SIHFD9220 , SIHFDC20 , SIHFI510G , SIHFI520G , SIHFI530G , SIHFI540G , 75N75 , SIHFI620G , SIHFI630G , SIHFI634G , SIHFI640G , SIHFI644G , SIHFI720G , SIHFI730G , SIHFI740G .

History: LSD55R140GF | STF28NM50N | STL3NK40 | IRFSZ44A | ME45P04 | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.