SIHFI9620G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFI9620G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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SIHFI9620G datasheet

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SIHFI9620G

IRFI9620G, SiHFI9620G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.5 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 15 P-Channel Qgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt Qgd (nC) 8.4 Low Thermal Resistance Conf

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SIHFI9620G

IRFI9620G, SiHFI9620G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.5 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 15 P-Channel Qgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt Qgd (nC) 8.4 Low Thermal Resistance Conf

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SIHFI9620G

IRFI9640G, SiHFI9640G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 44 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 27 Low Thermal Resist

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SIHFI9620G

IRFI9610G, SiHFI9610G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 13 P-Channel Qgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

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