SIHFI9620G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHFI9620G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHFI9620G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHFI9620G

SIHFI9620G Datasheet (PDF)

..1. Size:1647K vishay
irfi9620gpbf sihfi9620g.pdf

IRFI9620G, SiHFI9620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 15 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dtQgd (nC) 8.4 Low Thermal ResistanceConf

..2. Size:1671K vishay
irfi9620g sihfi9620g.pdf

7.1. Size:1655K vishay
irfi9640gpbf sihfi9640g.pdf

IRFI9640G, SiHFI9640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 44COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 27 Low Thermal Resist

7.2. Size:814K vishay
irfi9610g sihfi9610g.pdf

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

7.3. Size:832K vishay
irfi9634gpbf sihfi9634g.pdf

IRFI9634G, SiHFI9634GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) - 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating TemperatureQg (Max.) (nC) 38 Fast SwitchingQgs (nC) 8.0 P-ChannelQgd (nC) 18 Fully Avalanche RatedConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableSDESCRIPTION

7.4. Size:831K vishay
irfi9634g sihfi9634g.pdf

7.5. Size:1653K vishay
irfi9640g sihfi9640g.pdf

7.6. Size:1550K vishay
irfi9630gpbf sihfi9630g.pdf

IRFI9630G, SiHFI9630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Availablef = 60 Hz) RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.80RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 15 Low Thermal Resist

7.7. Size:1549K vishay
irfi9630g sihfi9630g.pdf