Справочник MOSFET. SIHFI9620G

 

SIHFI9620G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI9620G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI9620G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9620G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1647K  vishay
 irfi9620gpbf sihfi9620g.pdf pdf_icon

SIHFI9620G

IRFI9620G, SiHFI9620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 15 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dtQgd (nC) 8.4 Low Thermal ResistanceConf

 ..2. Size:1671K  vishay
 irfi9620g sihfi9620g.pdf pdf_icon

SIHFI9620G

IRFI9620G, SiHFI9620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = - 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 15 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dtQgd (nC) 8.4 Low Thermal ResistanceConf

 7.1. Size:1655K  vishay
 irfi9640gpbf sihfi9640g.pdf pdf_icon

SIHFI9620G

IRFI9640G, SiHFI9640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 44COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 7.1 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 27 Low Thermal Resist

 7.2. Size:814K  vishay
 irfi9610g sihfi9610g.pdf pdf_icon

SIHFI9620G

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFI820G , SIHFI830G , SIHFI840G , SIHFI840GLC , SIHFI9520G , SIHFI9530G , SIHFI9540G , SIHFI9610G , 60N06 , SIHFI9630G , SIHFI9634G , SIHFI9640G , SIHFI9Z14G , SIHFI9Z24G , SIHFI9Z34G , SIHFIB5N65A , SIHFIB6N60A .

History: 2SK3822B

 

 
Back to Top

 


 
.