IRL5602S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRL5602S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRL5602S

IRL5602S Datasheet (PDF)

..1. Size:238K international rectifier
irl5602spbf.pdf

PD- 95099IRL5602SPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resist

..2. Size:171K international rectifier
irl5602s.pdf

PD- 91888IRL5602SHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042Wl Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

Otros transistores... IRL530NS , IRL531 , IRL540 , IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , 8N60 , IRL610 , IRL610A , IRL611 , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: