IRL5602S - описание и поиск аналогов

 

IRL5602S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL5602S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRL5602S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL5602S даташит

 ..1. Size:238K  international rectifier
 irl5602spbf.pdf pdf_icon

IRL5602S

PD- 95099 IRL5602SPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -20V l 175 C Operating Temperature l P-Channel RDS(on) = 0.042 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = -24A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

 ..2. Size:171K  international rectifier
 irl5602s.pdf pdf_icon

IRL5602S

PD- 91888 IRL5602S HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -20V l 175 C Operating Temperature l P-Channel RDS(on) = 0.042W l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = -24A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

Другие MOSFET... IRL530NS , IRL531 , IRL540 , IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRF520 , IRL610 , IRL610A , IRL611 , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 .

History: IRFSL3806PBF | IRL540N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.