Справочник MOSFET. IRL5602S

 

IRL5602S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL5602S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRL5602S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL5602S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
 irl5602spbf.pdf pdf_icon

IRL5602S

PD- 95099IRL5602SPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resist

 ..2. Size:171K  international rectifier
 irl5602s.pdf pdf_icon

IRL5602S

PD- 91888IRL5602SHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -20Vl 175C Operating Temperaturel P-ChannelRDS(on) = 0.042Wl Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = -24ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

Другие MOSFET... IRL530NS , IRL531 , IRL540 , IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , CS150N03A8 , IRL610 , IRL610A , IRL611 , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 .

History: CS840F | CS840FA9H | HFP5N60F | FDA16N50

 

 
Back to Top

 


 
.