SIHFIZ24G Todos los transistores

 

SIHFIZ24G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFIZ24G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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SIHFIZ24G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1554K  vishay
 irfiz24g sihfiz24g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 ..2. Size:1555K  vishay
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SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 8.1. Size:1392K  vishay
 sihfiz44g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

 8.2. Size:1000K  vishay
 irfiz14g sihfiz14g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ14G, SiHFIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.1 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt RatingConfigur

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History: 2SK3822B | SIHFIZ48G

 

 
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