SIHFIZ24G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFIZ24G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для SIHFIZ24G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFIZ24G даташит

 ..1. Size:1554K  vishay
 irfiz24g sihfiz24g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 ..2. Size:1555K  vishay
 sihfiz24g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 8.1. Size:1392K  vishay
 sihfiz44g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ44G, SiHFIZ44G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.028 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 95 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 27 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 46 Dynamic dV/dt Rating Configurat

 8.2. Size:1000K  vishay
 irfiz14g sihfiz14g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ14G, SiHFIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.1 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt Rating Configur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFIBC30G, SIHFIBC40G, SIHFIBC40GLC, SIHFIBE20G, SIHFIBE30G, SIHFIBF20G, SIHFIBF30G, SIHFIZ14G, IRF540N, SIHFIZ34G, SIHFIZ44G, SIHFIZ48G, SIHFL014, SIHFL110, SIHFL210, SIHFL214, SIHFL9014