Справочник MOSFET. SIHFIZ24G

 

SIHFIZ24G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFIZ24G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFIZ24G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFIZ24G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1554K  vishay
 irfiz24g sihfiz24g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 ..2. Size:1555K  vishay
 sihfiz24g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ24G, SiHFIZ24GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.10f = 60 Hz) RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 25 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Low Ther

 8.1. Size:1392K  vishay
 sihfiz44g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

 8.2. Size:1000K  vishay
 irfiz14g sihfiz14g.pdf pdf_icon

SIHFIZ24G

IRFIZ14G, SiHFIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS*f = 60 Hz)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.1 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt RatingConfigur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFIBC30G , SIHFIBC40G , SIHFIBC40GLC , SIHFIBE20G , SIHFIBE30G , SIHFIBF20G , SIHFIBF30G , SIHFIZ14G , IRF540 , SIHFIZ34G , SIHFIZ44G , SIHFIZ48G , SIHFL014 , SIHFL110 , SIHFL210 , SIHFL214 , SIHFL9014 .

 

 
Back to Top

 


 
.