SIHFP140 Todos los transistores

 

SIHFP140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFP140
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHFP140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1752K  vishay
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SIHFP140

IRFP140, SiHFP140Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.077RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 72 COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Single Sim

 ..2. Size:1758K  vishay
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SIHFP140

IRFP140, SiHFP140Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.077RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 72 COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Single Sim

 8.1. Size:1470K  vishay
 irfp150 sihfp150.pdf pdf_icon

SIHFP140

IRFP150, SiHFP150Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.055 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 140 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQgs (nC) 29 Fast SwitchingQgd (nC) 68 Ease of ParallelingConfiguration Single S

 8.2. Size:176K  vishay
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SIHFP140

IRFP17N50L, SiHFP17N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the NeedVDS (V) 500AvailableFor External Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Low Gate Charge Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANTRequirementQgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedQgd (nC) 59Rugg

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History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO

 

 
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