SIHFP140 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFP140

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP140

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP140 даташит

 ..1. Size:1752K  vishay
 irfp140 sihfp140.pdf pdf_icon

SIHFP140

IRFP140, SiHFP140 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.077 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 72 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 11 Fast Switching Qgd (nC) 32 Ease of Paralleling Configuration Single Sim

 ..2. Size:1758K  vishay
 sihfp140.pdf pdf_icon

SIHFP140

IRFP140, SiHFP140 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.077 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 72 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 11 Fast Switching Qgd (nC) 32 Ease of Paralleling Configuration Single Sim

 8.1. Size:1470K  vishay
 irfp150 sihfp150.pdf pdf_icon

SIHFP140

IRFP150, SiHFP150 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.055 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qgs (nC) 29 Fast Switching Qgd (nC) 68 Ease of Paralleling Configuration Single S

 8.2. Size:176K  vishay
 irfp17n50l sihfp17n50l.pdf pdf_icon

SIHFP140

IRFP17N50L, SiHFP17N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the Need VDS (V) 500 Available For External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 RoHS* Low Gate Charge Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Requirement Qgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Qgd (nC) 59 Rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFL210, SIHFL214, SIHFL9014, SIHFL9110, SIHFP048, SIHFP048R, SIHFP054, SIHFP064, 10N60, SIHFP150, SIHFP17N50L, SIHFP21N60L, SIHFP22N50A, SIHFP22N60K, IRF7606PBF, IRF7607PBF, IRF7663PBF