IRF7E3704 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7E3704

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1005 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: LCC-18

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IRF7E3704 datasheet

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IRF7E3704

PD - 94678 HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704 SURFACE MOUNT (LCC-18) 20V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A* LCC-18 Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the fa

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