IRF7E3704 Todos los transistores

 

IRF7E3704 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7E3704
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1005 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC-18
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7E3704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  international rectifier
 irf7e3704.pdf pdf_icon

IRF7E3704

PD - 94678HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704SURFACE MOUNT (LCC-18)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A*LCC-18Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thefa

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History: AONS36316 | IRFR120TR | STP5N62K3 | MRF5003 | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K

 

 
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