IRF7E3704 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF7E3704
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1005 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: LCC-18
Аналог (замена) для IRF7E3704
IRF7E3704 Datasheet (PDF)
irf7e3704.pdf

PD - 94678HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704SURFACE MOUNT (LCC-18)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A*LCC-18Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thefa
Другие MOSFET... IRF7902PBF , IRF7904PBF , IRF7904PBF-1 , IRF7905PBF , IRF7907PBF , IRF7907PBF-1 , IRF7910PBF-1 , IRF7946 , IRFP460 , IRF7F3704 , IRF7MS2907 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF7Y1405CM , IRF7YSZ44VCM , IRF8010PBF .
History: IPP65R190CFDA | IPP60R040C7 | IPP100N06S3L-04
History: IPP65R190CFDA | IPP60R040C7 | IPP100N06S3L-04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet