Справочник MOSFET. IRF7E3704

 

IRF7E3704 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7E3704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1005 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: LCC-18
 

 Аналог (замена) для IRF7E3704

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7E3704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  international rectifier
 irf7e3704.pdf pdf_icon

IRF7E3704

PD - 94678HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704SURFACE MOUNT (LCC-18)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A*LCC-18Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thefa

Другие MOSFET... IRF7902PBF , IRF7904PBF , IRF7904PBF-1 , IRF7905PBF , IRF7907PBF , IRF7907PBF-1 , IRF7910PBF-1 , IRF7946 , IRF640 , IRF7F3704 , IRF7MS2907 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF7Y1405CM , IRF7YSZ44VCM , IRF8010PBF .

History: IPS050N03LG | MMBFJ111 | AP4435GJ | NTMFD4C87N | IPB03N03LBG | AF2301PWL

 

 
Back to Top

 


 
.