Справочник MOSFET. IRF7E3704

 

IRF7E3704 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7E3704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1005 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: LCC-18

 Аналог (замена) для IRF7E3704

 

 

IRF7E3704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  international rectifier
 irf7e3704.pdf

IRF7E3704 IRF7E3704

PD - 94678HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704SURFACE MOUNT (LCC-18)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A*LCC-18Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with thefa

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top