IRF7E3704 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7E3704

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1005 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: LCC-18

Аналог (замена) для IRF7E3704

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7E3704 даташит

 ..1. Size:124K  international rectifier
 irf7e3704.pdf pdf_icon

IRF7E3704

PD - 94678 HEXFET POWER MOSFET IRF7E3704 SURFACE MOUNT (LCC-18) 20V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7E3704 20V 0.05 12A* LCC-18 Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the fa

Другие IGBT... IRF7902PBF, IRF7904PBF, IRF7904PBF-1, IRF7905PBF, IRF7907PBF, IRF7907PBF-1, IRF7910PBF-1, IRF7946, IRFP460, IRF7F3704, IRF7MS2907, IRF7N1405, IRF7NA2907, IRF7NJZ44V, IRF7Y1405CM, IRF7YSZ44VCM, IRF8010PBF