IRF7F3704 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7F3704

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-39

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IRF7F3704 datasheet

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IRF7F3704

PD-94340B HEXFET POWER MOSFET IRF7F3704 THRU-HOLE (TO-39) 20V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7F3704 20V 0.035 12A* Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-39 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast swi

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