Справочник MOSFET. IRF7F3704

 

IRF7F3704 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7F3704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-39

 Аналог (замена) для IRF7F3704

 

 

IRF7F3704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irf7f3704.pdf

IRF7F3704 IRF7F3704

PD-94340BHEXFET POWER MOSFET IRF7F3704THRU-HOLE (TO-39)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7F3704 20V 0.035 12A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-39International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast swi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top