Справочник MOSFET. IRF7F3704

 

IRF7F3704 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7F3704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7F3704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irf7f3704.pdf pdf_icon

IRF7F3704

PD-94340BHEXFET POWER MOSFET IRF7F3704THRU-HOLE (TO-39)20V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7F3704 20V 0.035 12A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-39International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theFeatures:fast swi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SWI4N65DB | SIHG47N60S | IXFC15N80Q | 9N95 | FTK3051 | BF410B | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.