IRF7F3704 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7F3704

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-39

Аналог (замена) для IRF7F3704

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7F3704 даташит

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irf7f3704.pdf pdf_icon

IRF7F3704

PD-94340B HEXFET POWER MOSFET IRF7F3704 THRU-HOLE (TO-39) 20V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7F3704 20V 0.035 12A* Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-39 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast swi

Другие IGBT... IRF7904PBF, IRF7904PBF-1, IRF7905PBF, IRF7907PBF, IRF7907PBF-1, IRF7910PBF-1, IRF7946, IRF7E3704, IRFZ44, IRF7MS2907, IRF7N1405, IRF7NA2907, IRF7NJZ44V, IRF7Y1405CM, IRF7YSZ44VCM, IRF8010PBF, IRF8010SPBF