IRF7MS2907 Todos los transistores

 

IRF7MS2907 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7MS2907
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254AA
 

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IRF7MS2907 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  international rectifier
 irf7ms2907.pdf pdf_icon

IRF7MS2907

PD - 94609HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA)75V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A*Low-OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benef

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History: IRF9530PBF | RJK6013DPE | AP4P018M | SQ2351ES | STF23NM60N | RFP12N10 | IXFN360N10T

 

 
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