IRF7MS2907 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7MS2907

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO-254AA

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IRF7MS2907 datasheet

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IRF7MS2907

PD - 94609 HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907 THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA) 75V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A* Low-Ohmic Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benef

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