IRF7MS2907 Todos los transistores

 

IRF7MS2907 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7MS2907
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 375 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254AA

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7MS2907

 

IRF7MS2907 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  international rectifier
irf7ms2907.pdf

IRF7MS2907 IRF7MS2907

PD - 94609HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA)75V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A*Low-OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benef

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


IRF7MS2907
  IRF7MS2907
  IRF7MS2907
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F

 

 

 
Back to Top