Справочник MOSFET. IRF7MS2907

 

IRF7MS2907 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7MS2907
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 375 nC
   Время нарастания (tr): 135 ns
   Выходная емкость (Cd): 2280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA

 Аналог (замена) для IRF7MS2907

 

 

IRF7MS2907 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  international rectifier
 irf7ms2907.pdf

IRF7MS2907 IRF7MS2907

PD - 94609HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA)75V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A*Low-OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benef

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top