IRF7MS2907 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7MS2907

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-254AA

Аналог (замена) для IRF7MS2907

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7MS2907 даташит

 ..1. Size:133K  international rectifier
 irf7ms2907.pdf pdf_icon

IRF7MS2907

PD - 94609 HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907 THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA) 75V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A* Low-Ohmic Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benef

Другие IGBT... IRF7904PBF-1, IRF7905PBF, IRF7907PBF, IRF7907PBF-1, IRF7910PBF-1, IRF7946, IRF7E3704, IRF7F3704, IRF640, IRF7N1405, IRF7NA2907, IRF7NJZ44V, IRF7Y1405CM, IRF7YSZ44VCM, IRF8010PBF, IRF8010SPBF, IRF8113GPBF