Справочник MOSFET. IRF7MS2907

 

IRF7MS2907 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7MS2907
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA
 

 Аналог (замена) для IRF7MS2907

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7MS2907 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  international rectifier
 irf7ms2907.pdf pdf_icon

IRF7MS2907

PD - 94609HEXFET POWER MOSFET IRF7MS2907THRU-HOLE (Low-ohmic TO-254AA)75V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7MS2907 75V 0.0055 45A*Low-OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benef

Другие MOSFET... IRF7904PBF-1 , IRF7905PBF , IRF7907PBF , IRF7907PBF-1 , IRF7910PBF-1 , IRF7946 , IRF7E3704 , IRF7F3704 , IRFP460 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF7Y1405CM , IRF7YSZ44VCM , IRF8010PBF , IRF8010SPBF , IRF8113GPBF .

History: 19N10G-TF3-T | AOD474B | AP6900GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.