IRF7Y1405CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7Y1405CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA

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IRF7Y1405CM Datasheet (PDF)

..1. Size:93K international rectifier
irf7y1405cm.pdf

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9.1. Size:110K international rectifier
irf7ysz44vcm.pdf

PD - 94603HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCMTHRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A*Low OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This b

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Liste

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