IRF7Y1405CM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7Y1405CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm

Encapsulados: TO-257AA

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IRF7Y1405CM datasheet

 ..1. Size:93K  international rectifier
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IRF7Y1405CM

PD - 94449 HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A* Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with t

 9.1. Size:110K  international rectifier
 irf7ysz44vcm.pdf pdf_icon

IRF7Y1405CM

PD - 94603 HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCM THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 60V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A* Low Ohmic Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This b

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