IRF7Y1405CM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7Y1405CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm

Тип корпуса: TO-257AA

Аналог (замена) для IRF7Y1405CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7Y1405CM даташит

 ..1. Size:93K  international rectifier
 irf7y1405cm.pdf pdf_icon

IRF7Y1405CM

PD - 94449 HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A* Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with t

 9.1. Size:110K  international rectifier
 irf7ysz44vcm.pdf pdf_icon

IRF7Y1405CM

PD - 94603 HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCM THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 60V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A* Low Ohmic Seventh Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This b

Другие IGBT... IRF7910PBF-1, IRF7946, IRF7E3704, IRF7F3704, IRF7MS2907, IRF7N1405, IRF7NA2907, IRF7NJZ44V, IRF640N, IRF7YSZ44VCM, IRF8010PBF, IRF8010SPBF, IRF8113GPBF, IRF8113PBF, IRF8113PBF-1, IRF820ASPBF, IRF820B