Справочник MOSFET. IRF7Y1405CM

 

IRF7Y1405CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7Y1405CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA
 

 Аналог (замена) для IRF7Y1405CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7Y1405CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  international rectifier
 irf7y1405cm.pdf pdf_icon

IRF7Y1405CM

PD - 94449HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with t

 9.1. Size:110K  international rectifier
 irf7ysz44vcm.pdf pdf_icon

IRF7Y1405CM

PD - 94603HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCMTHRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A*Low OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This b

Другие MOSFET... IRF7910PBF-1 , IRF7946 , IRF7E3704 , IRF7F3704 , IRF7MS2907 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF630 , IRF7YSZ44VCM , IRF8010PBF , IRF8010SPBF , IRF8113GPBF , IRF8113PBF , IRF8113PBF-1 , IRF820ASPBF , IRF820B .

History: PHD77NQ03T | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | IPA60R1K0CE | HM2310B | AOB9N70L | AP4415GJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.