IRF7YSZ44VCM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7YSZ44VCM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7YSZ44VCM

IRF7YSZ44VCM Datasheet (PDF)

..1. Size:110K international rectifier
irf7ysz44vcm.pdf

PD - 94603HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCMTHRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A*Low OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This b

9.1. Size:93K international rectifier
irf7y1405cm.pdf

PD - 94449HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with t

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: