IRF7YSZ44VCM Todos los transistores

 

IRF7YSZ44VCM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7YSZ44VCM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF7YSZ44VCM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF7YSZ44VCM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  international rectifier
 irf7ysz44vcm.pdf pdf_icon

IRF7YSZ44VCM

PD - 94603HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCMTHRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A*Low OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This b

 9.1. Size:93K  international rectifier
 irf7y1405cm.pdf pdf_icon

IRF7YSZ44VCM

PD - 94449HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with t

Otros transistores... IRF7946 , IRF7E3704 , IRF7F3704 , IRF7MS2907 , IRF7N1405 , IRF7NA2907 , IRF7NJZ44V , IRF7Y1405CM , 10N60 , IRF8010PBF , IRF8010SPBF , IRF8113GPBF , IRF8113PBF , IRF8113PBF-1 , IRF820ASPBF , IRF820B , IRF820L .

History: LNND04R120

 

 
Back to Top

 


 
.