Справочник MOSFET. IRF7YSZ44VCM

 

IRF7YSZ44VCM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7YSZ44VCM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7YSZ44VCM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  international rectifier
 irf7ysz44vcm.pdf pdf_icon

IRF7YSZ44VCM

PD - 94603HEXFET POWER MOSFET IRF7YSZ44VCMTHRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7YSZ44VCM 60V 0.0195 20A*Low OhmicSeventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This b

 9.1. Size:93K  international rectifier
 irf7y1405cm.pdf pdf_icon

IRF7YSZ44VCM

PD - 94449HEXFET POWER MOSFET IRF7Y1405CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF7Y1405CM 55V 0.0153 18A*Seventh Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HAT1065R | IRLI540NPBF | BRCS080N02RA | IRFP245 | ISCNH340B | STT2PF60L | 12N80L-T47-T

 

 
Back to Top

 


 
.