SIHFP360LC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFP360LC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFP360LC

SIHFP360LC Datasheet (PDF)

..1. Size:1037K vishay
sihfp360lc.pdf

IRFP360LC, SiHFP360LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 110 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 28 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 45 Repetitive A

..2. Size:1031K vishay
irfp360lc sihfp360lc.pdf

6.1. Size:1001K vishay
sihfp360.pdf

IRFP360, SiHFP360Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 30 Ease of ParallelingQgd (nC) 110Configuration Single Simple Drive Requirements Complia

6.2. Size:995K vishay
irfp360 sihfp360.pdf