SIHFP360LC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHFP360LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для SIHFP360LC
SIHFP360LC Datasheet (PDF)
sihfp360lc.pdf
IRFP360LC, SiHFP360LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 110 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 28 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 45 Repetitive A
irfp360lc sihfp360lc.pdf
IRFP360LC, SiHFP360LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 110 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 28 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 45 Repetitive A
sihfp360.pdf
IRFP360, SiHFP360Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 30 Ease of ParallelingQgd (nC) 110Configuration Single Simple Drive Requirements Complia
irfp360 sihfp360.pdf
IRFP360, SiHFP360Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 30 Ease of ParallelingQgd (nC) 110Configuration Single Simple Drive Requirements Complia
irfp360 sihfp360.pdf
IRFP360, SiHFP360Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 30 Ease of ParallelingQgd (nC) 110Configuration Single Simple Drive Requirements Complia
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918