IRLBA1304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLBA1304

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SUPER220

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IRLBA1304 datasheet

 ..1. Size:95K  international rectifier
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IRLBA1304

PD- 91842 IRLBA1304/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ. RDS(on) = 0.004 application conditions vs. TO-220 G Fully Avalanche Rated ID = 185A S Description The HEXFET is the most popular power MOSFET in the world. This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
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IRLBA1304

PD - 91841A IRLBA3803/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 30V 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AV advanced processing techniques to achieve extremely low S on-resistance per silicon area. This

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