IRLBA1304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLBA1304

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SUPER220

Аналог (замена) для IRLBA1304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBA1304 даташит

 ..1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA1304

PD- 91842 IRLBA1304/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ. RDS(on) = 0.004 application conditions vs. TO-220 G Fully Avalanche Rated ID = 185A S Description The HEXFET is the most popular power MOSFET in the world. This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA1304

PD - 91841A IRLBA3803/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 30V 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AV advanced processing techniques to achieve extremely low S on-resistance per silicon area. This

Другие IGBT... IRL630, IRL630A, IRL630S, IRL631, IRL640, IRL640A, IRL640S, IRL641, IRLB3034, IRLBA1304P, IRLBA3803, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, IRLBL1304, IRLD014, IRLD024, IRLD110