Справочник MOSFET. IRLBA1304

 

IRLBA1304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLBA1304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SUPER220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBA1304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA1304

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA1304

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

Другие MOSFET... IRL630 , IRL630A , IRL630S , IRL631 , IRL640 , IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRF520 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , IRLBL1304 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 .

History: FC4B21320L | WMJ38N60C2 | F4F60VX2 | SJMN380R65D | AO6804A | 2SK1773 | BF997

 

 
Back to Top

 


 
.