IRLBA1304P Todos los transistores

 

IRLBA1304P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLBA1304P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPER220
 

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IRLBA1304P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA1304P

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA1304P

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

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History: 2SK4196LS | 2N6660JAN

 

 
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