Справочник MOSFET. IRLBA1304P

 

IRLBA1304P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLBA1304P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 140(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SUPER220

 Аналог (замена) для IRLBA1304P

 

 

IRLBA1304P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf

IRLBA1304P IRLBA1304P

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf

IRLBA1304P IRLBA1304P

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

Другие MOSFET... IRL630A , IRL630S , IRL631 , IRL640 , IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRFB3306 , IRLBA3803 , IRLBA3803P , 7N65L-TF3-T , IRLBL1304 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 .

 

 
Back to Top