Справочник MOSFET. IRLBA1304P

 

IRLBA1304P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLBA1304P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 140(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SUPER220
 

 Аналог (замена) для IRLBA1304P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBA1304P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA1304P

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

 9.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA1304P

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMC5614P | SSU1N50 | IXTP1N80

 

 
Back to Top

 


 
.