SIHFR120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFR120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFR120

SIHFR120 Datasheet (PDF)

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IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120)Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and ReelQ

..2. Size:1989K vishay
irfr120 irfu120 sihfr120 sihfu120.pdf

8.1. Size:1455K vishay
irfr110 sihfr110.pdf

IRFR110, SiHFR110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.3 Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)Qgs (nC) 2.3 Available in Tape and ReelQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single

8.2. Size:244K vishay
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IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

8.3. Size:1479K vishay
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