IRLBA3803P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLBA3803P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 179 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPER220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLBA3803P

IRLBA3803P Datasheet (PDF)

5.1. Size:121K international rectifier
irlba3803.pdf

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

9.1. Size:95K international rectifier
irlba1304.pdf

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

Otros transistores... IRL631 , IRL640 , IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , EMB04N03H , 7N65L-TF3-T , IRLBL1304 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: