Справочник MOSFET. IRLBA3803P

 

IRLBA3803P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLBA3803P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 179 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: SUPER220
 

 Аналог (замена) для IRLBA3803P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBA3803P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA3803P

PD - 91841AIRLBA3803/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005GDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AVadvanced processing techniques to achieve extremely lowSon-resistance per silicon area. This

 9.1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA3803P

PD- 91842IRLBA1304/PHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ.RDS(on) = 0.004application conditions vs. TO-220G Fully Avalanche RatedID = 185A SDescriptionThe HEXFET is the most popular power MOSFET in the world.This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

Другие MOSFET... IRL631 , IRL640 , IRL640A , IRL640S , IRL641 , IRLBA1304 , IRLBA1304P , IRLBA3803 , EMB04N03H , 7N65L-TF3-T , IRLBL1304 , IRLD014 , IRLD024 , IRLD110 , IRLD120 , IRLI2203N , IRLI2505 .

History: IRFI630A | SSF10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.