IRLBL1304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLBL1304
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 140(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERD2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLBL1304

IRLBL1304 Datasheet (PDF)

..1. Size:175K international rectifier
irlbl1304.pdf

PD- 91843AIRLBL1304HEXFET Power MOSFET >1mm lower profile than D2PakD Same footprint as D2pakVDSS = 40V Logic Level Gate Surface mountRDS(on) = 0.0045 Ultra Low On-ResistanceG Fully Avalanche RatedID = 185A 50% greater current in typ. applicationScondition vs. D2PakDescriptionThe HEXFET MOSFET is the most popular power MOSFET in the world.This parti

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Liste

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